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NJG1812ME4-TE1_RF/IF射頻/中頻RFID 射頻開關(guān)-日清紡微電子

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原廠料號(hào)：NJG1812ME4-TE1品牌：Nisshinbo Micro Devices Inc.

資料說明：HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC

NJG1812ME4-TE1是RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻開關(guān)。制造商N(yùn)ISSHINBO/日清紡微電子生產(chǎn)封裝12-XFQFN 裸露焊盤的NJG1812ME4-TE1射頻開關(guān)射頻開關(guān)產(chǎn)品是用于在多個(gè)可用信號(hào)路徑之間路由 RF、IF 或微波信號(hào)的器件。示例應(yīng)用包括多天線（分集）接收器中的天線選擇、多模式系統(tǒng)中發(fā)射-接收路徑的選擇，或在發(fā)射和接收信號(hào)鏈之間切換天線。

  • 芯片型號(hào)：

    njg1812me4-te1

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    NISSHINBO【日清紡微電子】詳情

  • 廠商全稱：

    Nisshinbo Micro Devices Inc.

  • 中文名稱：

    ?清紡微電?株式會(huì)社

  • 資料說明：

    HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NJG1812ME4-TE1

  • 制造商：

    Nisshinbo Micro Devices Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻開關(guān)

  • 包裝：

    托盤

  • 射頻類型：

    CDMA，GSM，LTE，UMTS

  • 電路：

    DPDT

  • 頻率范圍：

    3GHz

  • 隔離：

    17dB

  • 插損：

    0.45dB

  • 測試頻率：

    2.7GHz

  • 特性：

    直流隔離

  • 阻抗：

    50 歐姆

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C

  • 封裝/外殼：

    12-XFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    2.8W（Ta），53.6W（Tc）

  • 描述：

    HIGH POWERDPDT SWITCH GAAS MMIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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