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NGTB50N60S1WG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NGTB50N60S1WG |
參數(shù)屬性 | NGTB50N60S1WG 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 50A 600V TO-247 |
功能描述 | IGBT - Inverter Welding |
文件大小 |
90.55 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-24 23:00:00 |
NGTB50N60S1WG規(guī)格書詳情
NGTB50N60S1WG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的NGTB50N60S1WG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NGTB50N60S1WG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,50A
- 開關能量:
1.5mJ(開),460μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
100ns/237ns
- 測試條件:
400V,50A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 50A 600V TO-247
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
TO247 |
7350 |
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ON/安森美 |
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ON/安森美 |
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ON Semiconductor |
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TO2473 |
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onsemi |
24+ |
TO-247-3 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原裝正品 |
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