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NGD8201BNT4G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-力特

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原廠料號(hào)：NGD8201BNT4G品牌：Littelfuse Inc.

資料說明：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

NGD8201BNT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商LITTELFUSE/力特生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGD8201BNT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    ngd8201bnt4g

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  • 企業(yè)簡稱：

    LITTELFUSE【力特】詳情

  • 廠商全稱：

    littelfuse

  • 中文名稱：

    力特公司

  • 資料說明：

    IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD8201BNT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 4.5V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252，（D-Pak）

  • 描述：

    IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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