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NGD18N45CLBT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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原廠料號(hào)：NGD18N45CLBT4G

只做原裝正品

NGD18N45CLBT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGD18N45CLBT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGD18N45CLBT4G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    105.25 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 18 Amps, 450 Volts N?Channel DPAK

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD18N45CLBT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 4.5V，7A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    420ns/2.9μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252，（D-Pak）

  • 描述：

    IGBT 500V 18A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納立科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13590203865

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13590203865/0755-88606580

  • 傳真：

    0755-88606580

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室

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