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NGD18N40CLB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NGD18N40CLB參考圖片

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原廠(chǎng)料號(hào)：NGD18N40CLB品牌：ON

一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品

NGD18N40CLB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝DPAK-4/TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63的NGD18N40CLB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGD18N40CLB

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    152.95 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGD18N40CLBT4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 4V，15A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn) + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 430V 15A 115W DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市維爾達(dá)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    連先生

  • 手機(jī)：

    13544094624

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83465779

  • 傳真：

    0755-83465779

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)友誼路上步工業(yè)區(qū)403棟鈺裕大廈東座3層318

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