首頁>NGD15N41CLT4>詳情

NGD15N41CLT4 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

NGD15N41CLT4參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NGD15N41CLT4品牌：ON

全新原裝

NGD15N41CLT4是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝DPAK4LEADSin/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的NGD15N41CLT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    NGD15N41CLT4

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    167.57 kb

  • 資料說明：

    Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NGD15N41CLT4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 4V，10A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/4μs

  • 測試條件：

    300V，6.5A，1 千歐

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 440V 15A 107W DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅小姐/王先生

  • 手機：

    19166251668

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82819109/83242993

  • 傳真：

    0755-82818458

  • 地址：

    國內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強北寶華大廈A座808,國際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場3510A室

相近型號