NGB8206NG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGB8206NG |
| 參數(shù)屬性 | NGB8206NG 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 390V 20A 150W D2PAK |
| 功能描述 | Ignition IGBT 20 A, 350 V, N??hannel D2PAK |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
118.17 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-26 13:00:00 |
NGB8206NG規(guī)格書詳情
NGB8206NG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGB8206NG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGB8206NG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 4.5V，20A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
-/5μs
- 測試條件：
300V，9A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
D2PAK
- 描述：
IGBT 390V 20A 150W D2PAK
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
27750 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-263 |
417 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-263 |
18000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ON |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
優(yōu)勢供應(yīng) 實(shí)單必成 可13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) |
