首頁(yè)>NGB8202ANT4G>詳情

NGB8202ANT4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 LIF

NGB8202ANT4G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NGB8202ANT4G品牌：LIF

絕對(duì)進(jìn)口原裝,現(xiàn)貨熱銷(xiāo)

NGB8202ANT4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商LIF/Littelfuse Inc.生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的NGB8202ANT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    NGB8202ANT4G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    124.89 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Ignition IGBT 20 A, 400 V, N.Channel D2PAK

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGB8202ANT4G

  • 制造商：

    Littelfuse Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 4.5V，20A

  • 輸入類(lèi)型：

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/5μs

  • 測(cè)試條件：

    300V，9A，1 千歐，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 440V 20A 150W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    邱先生

  • 手機(jī)：

    18820474229

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18820474229

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)橫崗街道華僑新村社區(qū)榮德時(shí)代廣場(chǎng)A2301

相近型號(hào)