首頁>NGB18N40CLBT4G>規(guī)格書詳情

NGB18N40CLBT4G分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NGB18N40CLBT4G
廠商型號

NGB18N40CLBT4G

參數(shù)屬性

NGB18N40CLBT4G 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 430V 18A 115W D2PAK

功能描述

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
IGBT 430V 18A 115W D2PAK

封裝外殼

TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

87.87 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-27 11:02:00

NGB18N40CLBT4G規(guī)格書詳情

NGB18N40CLBT4G屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的NGB18N40CLBT4G晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NGB18N40CLBT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 4V,15A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 430V 18A 115W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
2024
TO-263
505348
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力高端行業(yè)供應商
詢價
OMRON/歐姆龍
23+
SOP-4
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
詢價
ON Semiconductor
23+
D2PAK
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價
ON
2023+
TO-263
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價
ON/安森美
21+
TO263
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
ON/安森美
23+
TO-263
10000
公司只做原裝正品
詢價
ON/安森美
17+
D2PAK3LEAD
31518
原裝正品 可含稅交易
詢價
ON
16+
TO263
8000
原裝現(xiàn)貨請來電咨詢
詢價
ON
24+
D2PAK3LEAD
8866
詢價
ON/安森美
22+
TO-263
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價