首頁>NESG4030M14-A>規(guī)格書詳情
NESG4030M14-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NESG4030M14-A |
| 功能描述 | NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG) |
| 文件大小 |
112.49 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 13:00:00 |
NESG4030M14-A規(guī)格書詳情
NPN SiGe:C RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 1.1 dB TYP., Ga = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 15 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz
? SiGe:C HBT technology (UHS4) adopted
? Improvement of ESD protection
? 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NESG4030M14-A
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 Low Noise,
- SiGe：
C HBT 2V,6mA@5.8GHz
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
45000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NICHIA |
23+ |
3014(0.52) |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-343 |
27000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
NICHIA |
23+ |
3014(0.52) |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NICHIA |
10+ |
3014(0.52) |
2500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
NICHIA |
2022+ |
SMD |
870 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
NICHIA |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
NCC/黑金剛 |
1535+ |
1545 |
詢價 | ||||
NICHIA |
12+ |
SMD |
870 |
詢價 | |||
NCC/黑金剛 |
23+ |
1545 |
全新原裝，歡迎來電咨詢 |
詢價 |
