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NESG2101M05-A_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-CEL

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原廠料號：NESG2101M05-A品牌：CEL

資料說明：RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

NESG2101M05-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商CEL/California Eastern Labs生產(chǎn)封裝SOT-343F的NESG2101M05-A晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    nesg2101m05-a

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NESG2101M05-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5V

  • 頻率 - 躍遷：

    17GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

  • 增益：

    11dB ~ 19dB

  • 功率 - 最大值：

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    130 @ 15mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M05

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
24+
M05
562
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