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NESG2021M05-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NESG2021M05-T1 |
| 功能描述 | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification |
| 文件大小 |
159.35 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-24 10:51:00 |
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NESG2021M05-T1規(guī)格書詳情
FEATURES
? This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.
? NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
? NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NESG2021M05-T1
- 制造商：
California Eastern Laboratories(CEL)
- 功能描述：
Trans GP BJT NPN 5V 0.035A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
Sot/343 |
7000 |
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詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT23 |
8890 |
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詢價 | ||
NEC |
SOT23 |
68500 |
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詢價 | |||
NEC |
22+ |
SOT343 |
10730 |
原裝正品 |
詢價 | ||
NEC |
08+ |
SOT343 |
480 |
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詢價 | ||
NEC |
19+ |
SOT343 |
20000 |
2400 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
8560 |
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詢價 | ||
NEC |
25+ |
SOT343 |
54648 |
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詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
28347 |
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詢價 | ||
CEL |
23+24 |
SOT343 |
28950 |
專營原裝正品SMD二三極管,電源IC |
詢價 |
