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NESG2021M05-A

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification

FEATURES ?Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2021M05

NPNSiGeRFTransistorforLowNoise,High-GainAmplification

FEATURES ?Thisdeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainatlowcurrentamplifications. ?NF=0.9dBTYP.,Ga=18.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz ?NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=5.2GHz ?Maximumstablepowergain:MSG=22.5dBT

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2021M05

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NESG2021M05-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
24+
M05
1634
詢(xún)價(jià)
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24+
原廠(chǎng)原封
4000
原裝正品
詢(xún)價(jià)
NEC
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原廠(chǎng)封裝
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振宏微原裝正品,假一罰百
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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原廠(chǎng)正品
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SOT343
5000
原裝正品,假一罰十
詢(xún)價(jià)
更多NESG2021M05-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-13 15:30:00