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NES1823M-180-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NES1823M-180-A
廠商型號(hào)

NES1823M-180-A

功能描述

GaAs FET 180 W L, S-BAND PUSH-PULL POWER GaAs FET

文件大小

287.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-17 22:59:00

NES1823M-180-A規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The NES1823M-180 is a 180 W push-pull type GaAs FET designed for high power transmitter applications for IMT-

2000 base station systems. It operates at 12 V and is capable of delivering 180 W of output power (CW) with high

linear gain, high efficiency and low distortion. Its primary band is 1.8 to 2.3 GHz. The device employs 0.7 μm

Tungsten Silicide gates, via holes, plated heat sink, and silicon dioxide passivation for superior performance, thermal

characteristics, and reliability.

FEATURES

? Push-pull type GaAs FET

? VDS = 12.0 V operation

? High output power: Pout = 180 W TYP.

? High linear gain: GL = 12.5 dB TYP.

? High power added efficiency: ηadd = 48 TYP. @ VDS = 12.0 V, IDset = 2.0 A (total), f = 2.17 GHz

? Hollow plastic package

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