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NEL200101-24

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier

DESCRIPTIONANDAPPLICATIONS NEL2001012-24ofNPNepitaxialmicrowavepowertransistorsisdesignedfor1.8-2GHzPHS/PCN/PCSbasestationapplications. Itincorporatesemitterballastresistors,goldmetallizationsandoffersahighdegreeofreliability. FEATURES ?HighLinearPowerandGain

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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