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NE699M01-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE699M01-T1
廠商型號(hào)

NE699M01-T1

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

文件大小

50.36 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-19 11:30:00

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NE699M01-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE699M01 is an NPN high frequency silicon epitaxial transistor (NE687) encapsulated in an ultra small 6 pin SOT-363 package. Its four emitter pins decrease emitter inductance resulting in 3 dB more gain compared to conventional SOT-23 and SOT-143 devices. The NE699M01 is ideal for LNA and pre-driver applications up to 2.4 GHz where low cost, high gain, low voltage and low current are prime considerations.

FEATURES

? HIGH fT:

16 GHz TYP at 2 V, 20 mA

? LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.1 dB TYP at 2 GHz

? HIGH GAIN:

|S21E|2 = 14 dB TYP at f = 2 GHz

? 6 PIN SMALL MINI MOLD PACKAGE

? EXCELLENT LOW VOLTAGE,

LOW CURRENT PERFORMANCE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE699M01-T1

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Hi Gain Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA
3000
全新原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢庫存
詢價(jià)
DBLECTRO
23+
原廠原包
29960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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NEC
2020+
SOT-343
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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RENESAS/瑞薩
23+
SOT-363
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NEC
23+
SOT-363
7750
全新原裝優(yōu)勢
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