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NE680分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE680
廠商型號(hào)

NE680

參數(shù)屬性

NE680 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523

功能描述

NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

SOT-523

文件大小

246.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-4 19:09:00

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NE680規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

NECs NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for low noise, high gain and low cost applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for applications up to 6 GHz. The NE680 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. The NE680s high fT makes it ideal for low voltage/low current applications, down to as low as 0.5 V / 0.5 mA. IC max for the NE680 series is 35 mA. For higher current applications see the NE681 series.

FEATURES

? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz

? LOW NOISE FIGURE:

1.7 dB at 2 GHz

2.6 dB at 4 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN:

12.5 dB at 2 GHz

8.0 dB at 4 GHz

? EXCELLENT LOW VOLTAGE

LOW CURRENT PERFORMANCE

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE68019-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    10V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    9.6dB

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-523

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
2016+
SOT423
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
大量庫(kù)存NEC
20+
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
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RENESAS
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