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NE58219分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE58219
廠商型號

NE58219

參數(shù)屬性

NE58219 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI

功能描述

NECs NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

109.85 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 18:32:00

NE58219規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE58219 is a low supply voltage transistor designed for UHF Mixer and oscillator applications. The 3 pin ultra super mini mold package makes this device ideally suited for high density surface mount assembly.

FEATURES

? HIGH fT: 5 GHz TYP at VCE = 5 V , IC = 5 mA, f = 1 GHz

? LOW Cre: 0.9 pF TYP at VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz

? ULTRA SUPER MINI MOLD PACKAGE: 1.6 x 0.8 mm

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE58219-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    60mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(19)

  • 描述:

    TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
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SOT423
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