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NE5550979A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE5550979A-T1
廠商型號

NE5550979A-T1
參數(shù)屬性

NE5550979A-T1 封裝/外殼為79A；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
功能描述

Silicon Power LDMOS FET
封裝外殼

79A
文件大小

438.95 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-31 21:46:00
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NE5550979A-T1規(guī)格書詳情

FEATURES

? High Output Power : Pout = 39.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

? High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)

? High Linear gain : GL = 22 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 200 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)

? High ESD tolerance : ESD tolerance > 8 kV (IEC61000-4-2, Contact discharge)

? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

? 150 MHz Band Radio System

? 460 MHz Band Radio System

? 900 MHz Band Radio System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE5550979A-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    900MHz

  • 增益：

    22dB

  • 額定電流（安培）：

    3A

  • 功率 - 輸出：

    38.6dBm

  • 封裝/外殼：

    79A

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    79A

  • 描述：

    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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