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NE552R479A-T1-A中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE552R479A-T1-A
廠商型號

NE552R479A-T1-A

功能描述

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

文件大小

605.16 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-25 16:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE552R479A-T1-A

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band Med Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CEL
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