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NE5230DG	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	Low Voltage Operational Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NE5230DG	文件：211.45 Kbytes Page：18 Pages	Low Voltage Operational Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NE5230N	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NE5230N	文件：189.93 Kbytes Page：17 Pages	Lowvoltageoperationalamplifier DESCRIPTION TheNE5230isaverylowvoltageoperationalamplifierthatcanperformwithavoltagesupplyaslowas1.8Vorashighas15V.Inaddition,splitorsinglesuppliescanbeused,andtheoutputwill swingtogroundwhenapplyingthelatter.Thereisabiasadjustingpinwhichcon	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NE5230NG	文件：245.63 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NE5230NG	文件：211.45 Kbytes Page：18 Pages	LowVoltageOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NPORT5230	文件：3.27218 Mbytes Page：8 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NPORT5230A	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NPORT5230A-T	文件：3.77746 Mbytes Page：7 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
NPORT5230-T	文件：3.27218 Mbytes Page：8 Pages	2-portRS-232/422/485serialdeviceservers	moxaMOXA 臺灣摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
PBSS5230PAP	文件：274.72 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS5230PAP	文件：751.58 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4230PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4230PAN. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230QA	文件：245.01 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
PBSS5230QA	文件：727.5 Kbytes Page：17 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4230QA. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PBSS5230T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.62 Kbytes Page：7 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5230T	文件：55.91 Kbytes Page：7 Pages	20V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPBISStransistorinaSOT23plasticpackageofferingultralowVCEsatandRCEsatparameters. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circuit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PBSS5230T	文件：463.36 Kbytes Page：11 Pages	30V,2APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Lowcollector-emitersaturationvoltage VCEsat Highcollectorcurrentcapability: ICandICM Higherefficiencyleadingtolessheat generation AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PJBZ5230Q	文件：80.94 Kbytes Page：3 Pages	500mWZENERSINQFN1.2x1.5mm?	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PMBZ5230B	文件：66.19 Kbytes Page：12 Pages	Voltageregulatordiodes DESCRIPTION Low-powervoltageregulatordiodesinsmallSOT23plasticSMDpackages. Theseriesconsistsof32typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.3to75V. FEATURES ?Totalpowerdissipation:max.250mW ?Toleranceseries:±5 ?Workingvoltagerange:nom.3.3to75V ?Non-repetiti	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
NE5230DG
功能描述：
運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 1.8V Single Rail to Rail Commercial Temp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道數(shù)量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
輸入補(bǔ)償電壓：
1 mV
輸入偏流（最大值）：
10 pA
工作電源電壓：
2.7 V to 5.5 V
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
QFN-16
轉(zhuǎn)換速度：
0.89 V/us
關(guān)閉：
No
輸出電流：
55 mA
最大工作溫度：
+ 125 C
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多NE5230DG供應(yīng)商更新時間2024-10-23 15:30:00

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