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NE3511S02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3511S02
廠商型號

NE3511S02
參數(shù)屬性

NE3511S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LNA 13.5DB S02
功能描述

X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
封裝外殼

4-SMD，扁平引線
文件大小

210.08 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3511S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.3dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    IC AMP RF LNA 13.5DB S02

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
24+
SO2
16800
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