首頁>NE3509M04-A>詳情

NE3509M04-A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 CEL

NE3509M04-A參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3509M04-A品牌：CEL

原裝正品

NE3509M04-A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商CEL生產(chǎn)封裝原廠原封/SOT-343F的NE3509M04-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    NE3509M04-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    1277.17 kb

  • 資料說明：

    L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3509M04-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    2GHz

  • 增益：

    17.5dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.4dB

  • 功率 - 輸出：

    11dBm

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M04

  • 描述：

    FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    羅先生,張先生,吳小姐

  • 手機：

    18998940267

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83978748/0755-23611964

  • 傳真：

    0755-23611964

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)振興路109號華康大院2棟2層216-1

相近型號