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NDT452中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDT452
廠商型號

NDT452

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

227.54 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-21 23:00:00

NDT452規(guī)格書詳情

General Description

Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.

Features

■ -3A, -30V. RDS(ON) = 0.18Ω @ VGS = -10V.

■ High density cell design for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handling capability in a widely used surface mount package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NDT452

  • 功能描述:

    MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD
21+
SOT-223
30490
原裝現(xiàn)貨庫存
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2016+
SOT223
6000
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SOT-223
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原裝正品現(xiàn)貨
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FAIRCHILD
23+
SOT223
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詢價(jià)
FAIRCHILD
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SMD
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