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NDS9959中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NDS9959
廠商型號

NDS9959

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

340.08 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 20:00:00

NDS9959規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology.

Features

■ 2.0A, 50V. RDS(ON) = 0.3Ω @ VGS = 10V

■ High density cell design for extremely low RDS(ON).

■ High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

■ Dual MOSFET in surface mount package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NDS9959

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOP-8
100000
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