首頁>NCV5701ADR2G>詳情

NCV5701ADR2G 集成電路（IC）柵極驅(qū)動(dòng)器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

NCV5701ADR2G參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NCV5701ADR2G品牌：ON(安森美)

原廠原裝現(xiàn)貨

NCV5701ADR2G是集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝NA/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的NCV5701ADR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào)：

    NCV5701ADR2G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大?。?/span>

    336.11 kb

  • 資料說明：

    High Current IGBT Gate Drivers

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NCV5701ADR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    高壓側(cè)或低壓側(cè)

  • 通道類型：

    單路

  • 柵極類型：

    IGBT

  • 電壓 - 供電：

    20V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    0.75V，4.3V

  • 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：

    20mA，15mA

  • 輸入類型：

    反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    9.2ns，7.9ns

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科國際電子(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13682375875

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23306107

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興路120號(hào)賽格科技園4棟5Ｂ13室

相近型號(hào)