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NCP5359DR2G集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

NCP5359DR2G
廠商型號(hào)

NCP5359DR2G
參數(shù)屬性

NCP5359DR2G 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
功能描述

Gate Driver for Notebook Power Systems
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
封裝外殼

8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
文件大小

152.31 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 18:18:00
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NCP5359DR2G規(guī)格書詳情

NCP5359DR2G屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動(dòng)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCP5359DR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NCP5359DR2G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 驅(qū)動(dòng)配置：

    半橋

  • 通道類型：

    同步

  • 柵極類型：

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電：

    10V ~ 13.2V

  • 邏輯電壓?- VIL，VIH：

    1V，2V

  • 輸入類型：

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間（典型值）：

    16ns，11ns

  • 工作溫度：

    0°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
24+
SOP8
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