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NCG225L75NF8M1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

NCG225L75NF8M1
廠商型號(hào)

NCG225L75NF8M1
參數(shù)屬性

NCG225L75NF8M1 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 750V 225A FS4 DIE
功能描述

Field Stop Trench IGBT Die with Sinterable Top Metal
IGBT 750V 225A FS4 DIE
文件大小

216.86 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-10-27 21:59:00

NCG225L75NF8M1規(guī)格書詳情

NCG225L75NF8M1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCG225L75NF8M1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NCG225L75NF8M1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    散裝

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，200A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    104ns/122ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，225A，2 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    觸片

  • 描述：

    IGBT 750V 225A FS4 DIE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價(jià)
ON(安森美)
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