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NCE6080AT中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NCE6080AT
廠商型號(hào)

NCE6080AT

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

NCE6080AT

封裝外殼

TO-247

文件大小

805.82 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 23:00:00

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NCE6080AT規(guī)格書詳情

Description

The NCE6080AT uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications. General Features

● VDS =60V,ID =80A

RDS(ON)=5.5mΩ (typical) @ VGS=10V

RDS(ON)=6.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation

Application

● PWM

● Load Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NCE/新潔能
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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