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NCE6012AS中文資料無錫新潔能股份數據手冊PDF規(guī)格書

NCE6012AS
廠商型號

NCE6012AS

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

NCE6012AS

封裝外殼

SOP-8

文件大小

803.89 Kbytes

頁面數量

10

生產廠商 Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
企業(yè)簡稱

NCEPOWER無錫新潔能股份

中文名稱

無錫新潔能股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-26 20:00:00

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NCE6012AS規(guī)格書詳情

Description

The NCE6012AS uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications. General Features

● VDS = 60V,ID =12A

RDS(ON) < 8mΩ @ VGS=10V (Typ:6.5mΩ)

RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=4.5V (Typ:7.5mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Low gate to drain charge to reduce switching losses

Application

● Power switching application

● Load switch

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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