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NCE30H14K

Marking：NCE30H14K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H14Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=140A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司

DMN30H14DLY

LowGateThresholdVoltage

Description ThisnewgenerationMOSFEThasbeendesignedtominimizetheonstateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitch

DIODES

Diodes Incorporated

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更多NCE30H14K供應商 更新時間2025-1-21 16:31:00

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