NAND512W3A2BZA6E 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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原廠料號:NAND512W3A2BZA6E品牌:STMicroelectronics

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NAND512W3A2BZA6E是集成電路(IC) > 存儲器。制造商STMicroelectronics生產(chǎn)封裝63-VFBGA(8.5x15)/63-VFBGA的NAND512W3A2BZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號:

    NAND512W3A2BZA6E

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    57 頁

  • 文件大小:

    916.59 kb

  • 資料說明:

    128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :NAND512W3A2BZA6E

  • 存儲器格式

    :閃存

  • 技術(shù)

    :FLASH - NAND

  • 存儲容量

    :512Mb (64M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁

    :50ns

  • 訪問時間

    :50ns

  • 存儲器接口

    :并聯(lián)

  • 電壓 - 電源

    :2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :63-VFBGA(8.5x15)

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    瀚佳科技(深圳)有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    李小姐

  • 手機:

    13480654098/13827426716

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-23915992/23140719

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北佳和A座2120