NAND512W3A2BN6E 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

原廠料號：NAND512W3A2BN6E品牌：ST/意法

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NAND512W3A2BN6E是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝NA//48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND512W3A2BN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

• 芯片型號：

  NAND512W3A2BN6E

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡稱：

  STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱：

  STMicroelectronics

• 中文名稱：

  意法半導(dǎo)體集團(tuán)

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  57 頁

• 文件大?。?/span>

  916.59 kb

• 資料說明：

  128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories