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NAND04GW3B2DN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND04GW3B2DN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND04GW3B2DN6F

4Gbit,8Gbit,2112byte/1056wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDFlashmemories

NUMONYX

numonyx

產品屬性

  • 產品編號:

    NAND04GW3B2DN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NAND04GW3B2DN6E供應商 更新時間2025-6-9 15:25:00