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NAND02GW3B2DZA6 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
:NAND02GW3B2DZA6
- 存儲器格式
:閃存
- 技術(shù)
:FLASH - NAND
- 存儲容量
:2Gb (256M x 8)
- 寫周期時間 - 字,頁
:25ns
- 訪問時間
:25ns
- 存儲器接口
:并聯(lián)
- 電壓 - 電源
:2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型
:表面貼裝
- 封裝/外殼
:63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝
:63-VFBGA(9.5x12)
供應(yīng)商
相近型號
- NAND02GW3B2DN6E
- NAND04GR3B2DN6E
- NAND02GW3B2DN6
- NAND04GW382BN6
- NAND02GW3B2D
- NAND04GW382DN6
- NAND02GW3B2CZA6F
- NAND04GW3B2A
- NAND02GW3B2CZA6E
- NAND04GW3B2BN6
- NAND02GW3B2CZA6
- NAND04GW3B2BN6E
- NAND02GW3B2CN6F
- NAND04GW3B2BN6F
- NAND02GW3B2CN6E
- NAND04GW3B2DN6
- NAND02GW3B2CN6
- NAND04GW3B2DN6E
- NAND02GW3B2C
- NAND04GW3B2DN6EIC
- NAND02GW3B2BN6E
- NAND02GW3B2AN6F
- NAND04GW3B2DN6F
- NAND02GW3B2AN6E
- NAND02GW3B2AN6256MB
- NAND02GW3B2AN6
- NAND04GW3B2DZL6F
- NAND02GW3B2AN
- NAND04GW3C2AE01512MB
- NAND02GW382DZA6
- NAND04GW3C2AN1
- NAND02GW382DN6IC
- NAND04GW3C2AN1E
- NAND02GW382DN6
- NAND04GW3C2AN1E512MB
- NAND02GR3D2ZA6
- NAND04GW3C2B
- NAND02GR3B8CZA6F
- NAND04GW3C2BN6E
- NAND02GR3B2DZA6F
- NAND08G
- NAND02GR3B2DZA6E
- NAND08G08LT
- NAND02GR3B2DZA6
- NAND08GAH0AZA5E
- NAND02GR3B2DN6E
- NAND08GAH0BZA5E
- NAND02GR3B2CZA6F
- NAND08GAH0FZC5E
- NAND02GR3B2CZA6E