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NAND01GW3B2AN6集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

NAND01GW3B2AN6
廠商型號

NAND01GW3B2AN6

參數(shù)屬性

NAND01GW3B2AN6 封裝/外殼為48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

功能描述

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

封裝外殼

48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

文件大小

631.49 Kbytes

頁面數(shù)量

64

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-7 8:30:00

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NAND01GW3B2AN6規(guī)格書詳情

NAND01GW3B2AN6屬于集成電路(IC)的存儲器。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的NAND01GW3B2AN6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NAND01GW3B2AN6F

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    閃存 - NAND

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    30ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
TSOP48
23480
詢價
STMicroelectronics
18+
ICFLASH1GBIT48TSOP
6580
公司原裝現(xiàn)貨
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