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N6006NZ-S17-AY

N-channel MOSFET 600V, 6A, 1.2Ω

Description TheN6006NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=1.2ΩMAX.(VGS=10V,ID=3.0A) ?Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) ?Highcurrent ID(DC)=±6.0

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多N6006NZ-S17-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-8 9:12:00

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