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N0604N

N-channel MOSFET Low on-state resistance

Description TheN0604NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4150pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

N0604N-S19-AY

N-channel MOSFET Low on-state resistance

Description TheN0604NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4150pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

N0604N_15

N-channel MOSFET 60 V, 82 A, 6.5 m廓

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瑞薩瑞薩科技有限公司

OI0604DV

SMDRFSIGNALCHOKE

FRONTIER

Frontier Electronics

OPB0604

SiliconPhotoTransistor

Structure 1.1ChipSize:0.60mmX0.45mm 1.2Chipthickness:220±30um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

P0604BD

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無錫旭康微電子有限公司

PS0604

SMDPowerInductorsShielded

PREMOPREMO CORPORATION S.L

普萊默

PSB0604

SMDPOWERINDUCTORS

GENERALSPECIFICATION: e)Resistancetosolderheat:260°C.10secs d)Operatingtemp.:-40°Cto+85°C c)Storagetemp.:-40°Cto+125°C b)Ratedcurrent:Baseontemp.rise&?L/L0A=10Max. a)Temp.rise:40°CMax.

SUPERWORLDSuperworld Electronics

超級世界電子超級世界電子公司

RJF0604DPD

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJF0604JPD

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多N0604N供應(yīng)商 更新時間2025-4-10 10:41:00

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