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N04L63W2AT27I集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
N04L63W2AT27I |
參數(shù)屬性 | N04L63W2AT27I 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II |
功能描述 | 4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K ? 16 bit |
封裝外殼 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) |
文件大小 |
197.1 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-3 18:10:00 |
人工找貨 | N04L63W2AT27I價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
N04L63W2AT27I規(guī)格書詳情
N04L63W2AT27I屬于集成電路(IC)的存儲器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的N04L63W2AT27I存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
N04L63W2AT27I
- 制造商:
onsemi
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
2.3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
SOT23F |
8500 |
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RENESAS/瑞薩 |
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1983 |
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