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N04L63W2AT27I集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

N04L63W2AT27I
廠商型號

N04L63W2AT27I

參數(shù)屬性

N04L63W2AT27I 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K ? 16 bit
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

197.1 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-27 23:00:00

N04L63W2AT27I規(guī)格書詳情

N04L63W2AT27I屬于集成電路(IC)的存儲器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的N04L63W2AT27I存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    N04L63W2AT27I

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    2.3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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