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MWCT2004SFVLLPT	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memory and memory interfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
MWCT2004SFVMHPNR	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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MWCT2004SFVMHPR	文件：1.12915 Mbytes Page：65 Pages	Memoryandmemoryinterfaces	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
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NCE2004NE	文件：351.81 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE2004NE	文件：513.47 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
NCE2004Y	文件：283.14 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE2004Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=20V,ID=4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCS2004	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2004A	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2004AMUTAG	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NCS2004MUTAG	文件：942.34 Kbytes Page：13 Pages	WideSupplyRail-to-RailOutputOperationalAmplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NMA-2004	文件：180.46 Kbytes Page：1 Pages	NMA2000NOISESOURCESERIES	MICRONETICS Micronetics, Inc.	MICRONETICS
NSNJ2004	文件：166.6 Kbytes Page：4 Pages	428MHzLowPowerTransceiver	NJRCNew Japan Radio 新日本無(wú)線株式會(huì)社	NJRC
NTE2004	文件：24.9 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitDolbyNoiseReductionCircuit Description: TheNTE2004isamonolithicaudionoisereductioncircuitina16–LeadDIPtypepackagedesignedforuseinDolby?B–Typenoisereductionsystems.Thisdeviceisusedtoreducethelevelofbackgroundnoiseintroducedduringrecordingandplaybackofaudiosignalsonmagnetictape	NTE NTE Electronics	NTE
NVT2004	文件：727.81 Kbytes Page：8 Pages	Smart,simplesolutionsforthe12mostcommondesignconcerns	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
NVT2004	文件：493.16 Kbytes Page：33 Pages	Bidirectionalvoltage-leveltranslatorforopen-drainandpush-pullapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
NVT2004TL	文件：493.16 Kbytes Page：33 Pages	Bidirectionalvoltage-leveltranslatorforopen-drainandpush-pullapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
P2004	文件：1.15486 Mbytes Page：3 Pages	SMTPowerInductors	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
P2004EV	文件：1.00267 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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