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MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1-2000MHz,4W,28VLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforClassAorClassABbasestationapplicationswithfrequenciesupto2000MHz.Suitableforanaloganddigitalmodulationandmulticarrieramplifierapplications. ?TypicalTwo-TonePerformance@1960MHz,28Volts,IDQ=50mA

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MW6S004NT1

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MW6S004NT1

Package:PLD-1.5;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MW6S004NT1_07

RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MW6S004NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.96GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    4W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MW6S004NT1供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 16:21:00