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MVGSF1N02L

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MVGSF1N02LT1G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

MVGSF1N02LT1G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MGSF1N02EL

N-CHANNELLOGICLEVELENHANCEMENT-MODETMOSMOSFET

PartoftheGreenLine?Portfolioofdeviceswithenergy–conservingtraits. TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeMotorola’sHighCellDensity,HDTMOSprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinspacesensitivepowermanagement

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MGSF1N02L

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTDF1N02HD

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTDF1N02HD

DUALTMOSPOWERMOSFET1.7AMPERES20VOLTSRDS(on)=0.120OHM

MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistor Micro8?devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocesstoachievelowestpossibleon–resistancepersiliconarea.Theyarecapableofwithstandinghighenerg

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MVGSF1N02L

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ONSEM
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SOT23-3
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SOT23-3L
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ON/安森美
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SOT23-3
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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SOT-23-3
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SOT-23-3
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ON
23+
SOT23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ON/安森美
23+
SOT-23-3
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更多MVGSF1N02L供應商 更新時間2025-1-16 16:58:00

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