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MBRS260T3G	文件：267.71 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleina metal?to?siliconpowerrectifier.Featuresepitaxialconstructionwith oxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlow voltage,highfrequencyswitchingpowersupplies;freewheeling diodesandp	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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更多MURS260T3G/ON供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 16:26:00

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