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MURL20120FCT

20.0 Ampere Insulated Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers

Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

MURR20120CT

20.0AmpereHeatsinkDualDoublerPolarityUltraFastRecoveryRectifiers

Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

MURR20120FCT

20.0AmpereInsulatedDualDoublerPolarityUltraFastRecoveryRectifiers

Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導體思祁半導體有限公司

NDSH20120CDN

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,20A,1200V,D3,TO-247-3L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTSB20120CTG

VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NTSB20120CTG

VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

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VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

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VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

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NTST20120CT

VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier

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更多MURL20120FCT供應商 更新時間2025-1-22 13:00:00

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