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MUN2111T3G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

MUN2111T3G
廠商型號

MUN2111T3G

參數(shù)屬性

MUN2111T3G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

功能描述

Bias Resistor Transistors
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

112.25 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-27 16:42:00

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MUN2111T3G規(guī)格書詳情

MUN2111T3G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MUN2111T3G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器,設(shè)計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量,從而可降低項目成本。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MUN2111T3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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