首頁 >MTW14N50E>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

MTW14N50E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW14N50E

TMOS POWER FET 14 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM

ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandPWMmo

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW14N50E

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PHW14N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

VDSS=500V ID=14A RDS(ON)≤0.4? GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurpos

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFETs

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaspecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-Of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SLB14N50C

500VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    MTW14N50E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    TMOS POWER FET 14 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 0.40 OHM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
東芝
100
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠
詢價
MOT
24+
N/A
5000
公司存貨
詢價
MOT
06+
TO-247
2500
原裝
詢價
ON
23+
TO-247
6893
詢價
MOTOROLA
24+
模塊
6980
原裝現(xiàn)貨,可開13%稅票
詢價
24+
MODULE
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
詢價
MOTORALA
23+
TO-247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
ON/安森美
2022+
TO-247
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
詢價
MTW14N50E
36
36
詢價
M
23+
TO
6000
原裝正品,支持實單
詢價
更多MTW14N50E供應(yīng)商 更新時間2025-3-12 11:04:00