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CED14N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,12A,RDS(ON)=100mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=140mW@VGS=6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEU14N10

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,12A,RDS(ON)=100mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant RDS(ON)=140mW@VGS=6V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

EMB14N10CS

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)14.6mΩ ID62A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB14N10F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)14.6mΩ ID40A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMB14N10H

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)16.5mΩ ID44A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD14N10CS

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)14mΩ ID40A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD14N10F

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)14mΩ ID40A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EMD14N10H

N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)14mΩ ID47A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

FIR14N10DG

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

SSG14N10SG

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

WSD14N10DN

BatteryprotectionLoadswitch

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

WSD14N10DNG

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

WSP14N10

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體（深圳）有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MTD14N10E

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 功能描述：

    MOSFET N D-PAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
5000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON
24+
30000
詢價
ON
12+
TO-252
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
 詢價
ON
23+
TO-252
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
ON
2020+
SOT-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
ON
2023+
SOT-252
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
ON
21+
35200
一級代理/放心采購
 詢價
ON
08+
5000
普通
 詢價
ON/安森美
21+
TO-252
30000
只做正品原裝現(xiàn)貨
 詢價
ON/安森美
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
更多MTD14N10E供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 16:36:00

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