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MTD10N05E1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多MTD10N05E1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 11:10:00