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N0600N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

N0600N

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheN0600NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=25m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) ?RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

OZRA0600FF

RadialLeadedPTC

bel

Bel Fuse Inc.

SAB0600

THREEETONECHIMESINGLETONECHIMEDUALTONECHIME

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

SL0600A

GENERALPURPOSEVIDEOFILTERS

FaradayFaraday Technology

智原科技智原科技股份有限公司

SL0600J

GENERALPURPOSEVIDEOFILTERS

FaradayFaraday Technology

智原科技智原科技股份有限公司

ST-0600

ST-0600SeriesSparctube??SwitchingSparkGap

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

ST-0600-BBB-STD

SparctubeSwitchingSparkGap

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