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MTB15N06E

TMOSPOWERFET15AMPERES

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB15N06E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB15N06V

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB15N06V

PowerFieldEffectTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MTD15N06V

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MTA15N06E

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-186VAR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOT
24+
N/A
1340
詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
23+
TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
2022
TO-220F
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
新
1
全新原裝 貨期兩周
 詢價
PERSEMI
23+
DIP
15000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
DACO
24+
MTA
2100
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨
 詢價
MICRON
NA
999999
全新原裝正品 一級代理假一罰十 長期有貨
 詢價
Micron
99
詢價
MICRON
1650+
?
11520
只做原裝進口,假一罰十
 詢價
Micron
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
更多MTA15N06E供應(yīng)商 更新時間2025-3-3 14:00:00

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